P-N-P電晶體：它是 電晶體有時多指晶體三極體。 電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）。 電晶體有三個電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET） 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。 電晶體之所以有如此多用途在於其訊號放大能力，當微細訊號加於其中的一對極時便能控制在另一對極較大的訊號，這特性叫增益。 當電晶體於線性工作時，輸出的訊號與輸入的訊息成比例，這時電晶體就成了一放大器。 當電晶體的輸出不是完全關閉就是完全導通時，這時電晶體便是被用作開關使用。 這種方式主要用於數位電路，例如數位電路包括邏輯閘、隨機存取記憶體（RAM）和微處理器。 另外在開關電源中，電晶體也是以這種方式工作。 而以何種形式工作，主要取決於電晶體的特性及外部電路的設計。 電晶體也稱為雙極性接面電晶體 (BJT)，是一種由電流驅動的半導體元件，可用於控制電流流動；其中，基極引線中的少量電流可控制集極和射極之間較大的電流。 電晶體可以用來放大微弱的訊號、當作振盪器或開關。 通常，這些電晶體元件是以矽晶體製成，其中的 N 與 P 型半導體層互相堆疊。 請參閱以下圖 1。 圖 1：圖 1a 為 2N TO 的剖面圖，顯示接至矽晶的 E射極、B基極以及 C集極引線。 圖 1b 取自 年月號 Radio-Electronics 雜誌2，顯示了 N 和 P 型切面及其排列情形 (當時使用鍺材質)。 電晶體採用全密閉結構，封裝在有三根引線的塑膠或金屬圓柱體內 (圖 2)。 圖 2：幾種常見的封裝類型及其尺寸比較。· 所謂電晶體－分類與特徵 Si電晶體 重點: ・本章選擇了雙極性、MOSFET、IGBT作為功率電晶體。 ・確認雙極性電晶體、MOSFET、IGBT的基礎特徴。 接下來要說明「Si電晶體」。 Si電晶體，總而言之，與雙極性﹙bipolar﹚或MOSFET同樣依製造過程或構造來分類。 此外，亦可依操作的電流或電壓、應用程式來分類。 在這裡，由於主題為功率元件，因此從數量眾多的電晶體中列舉功率系。 其中，也預定以近年許多大電力控制應用程式常用的MOSFET為主進入話題。 首先是基礎内容，不過我想事先確認電晶體的分類和特徴。 Si電晶體的分類 雖然是Si電晶體的分類，不過依分類的觀點我認為有幾種分類的方法。 在這裡試著從構造和製程面大致分類如下。 其中，作為主題的功率系會以粗字塗色顯示。 電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET） 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。 電晶體之所以有如此多用途在於其訊號放大能力，當微細訊號加於其中的一對極時便能控制在另一對極較大的訊號，這特性叫增益。 當電晶體於線性工作時，輸出的訊號與輸入的訊息成比例，這時電晶體就成了一放大器。 當電晶體的輸出不是完全關閉就是完全導通時，這時電晶體便是被用作開關使用。 這種方式主要用於數位電路，例如數位電路包括邏輯閘、隨機存取記憶體（RAM）和微處理器。 另外在開關電源中，電晶體也是以這種方式工作。 而以何種形式工作，主要取決於電晶體的特性及外部電路的設計。 大致可分為雙載子 (Bi-polar)電晶體和單載子 (Uni-polar)電晶體。 雙極電晶體 Bi代表雙 (2組)，而Polar則代表載子 (極性)的意思。 電晶體係由半導體所組成，當電流通過半導體時，電流將取決於電洞 (正極)以及電子 (負極)的作用，運用此一動作原理的電晶體就稱之為「雙載子電晶體」。 一般我們所講的電晶體係由矽所製成，通常是指此種電晶體。 FET 為「Field Effect Transistor」一詞的縮寫，中文翻譯為「場效電晶體」，此種電晶體可分為接合型FET、MOS型FET以及GaAs型等3種。 接合型FET大多被應用於音響裝置等類比電路，MOS型FET則主要被運用在微電腦控制器等數位IC上。 而GaAs型則被用於衛星廣播接收等微波放大用途 ※MOS 電晶體受控極输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此 BJT 的三個端子是基極、發射極和集電極，在基極和發射極之間流動的非常小的電流可以控制集電極和發射極端之間的較大電流。 此外，有兩種類型的BJT：.

電晶體也稱為雙極性接面電晶體(BJT)，是一種由電流驅動的半導體元件，可用於控制電流流動；其中，基極引線中的少量電流可控制集極和射極之間較大的電流。 在這裡，由於主題為功率元件，因此從數量眾多的電晶體中列舉功率系。双极性电晶体（双极晶体管）和MOSFET有功率型和小訊號型，只不過IGBT（絶緣閘雙極電晶體） 电晶体（transistor）是一种固态半导体元件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。电晶体种类很多，依工作原理可粗分为双极性接面电晶体(bipolar 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電h FE 較低。. (約順向電壓的10%以下) 石英 晶體 合成 鉍 单晶 胰岛素 晶体 鎵 是很容易结成大块单晶的金属 晶体 是 原子 、 离子 或 分子 按照一定的周期性，在 结晶 过程中，在空间排列形成具有一定规则的 几何 外形的 固体 。 晶体的分布非常广泛，自然界的 固体 物质中，绝大多数是晶体。 气体 、 液体 和 非晶物质 在一定的合适条件下也可以转变成晶体。 晶体内部原子或分子排列的 三维空间 周期性结构，是晶体最基本的、最本质的特征，并使晶体具有下面的通性： 均匀性，即晶体内部各处宏观性质相同； 各向异性，即晶体中不同的方向上性质不同； 能自发形成 多面体 外形； 有确定的、明显的 熔点 ； 有特定的对称性； 能对 X射线 和 电子束 产生 衍射效应 等。 目录晶体结构和晶体学晶体的性质晶体种类大致可分為雙載子 (Bi-polar)電晶體和單載子 (Uni-polar)電晶體。 雙極電晶體 Bi代表雙 (2組)，而Polar則代表載子 (極性)的意思。 電晶體係由半導體所組成，當電流通過半導體時，電流將取決於電洞 (正極)以及電子 (負極)的作用，運用此一動作原理的電晶體就稱之為「雙載子電晶體」。 一般我們所講的電晶體係由矽所製成，通常是指此種電晶體。 FET 為「Field Effect Transistor」一詞的縮寫，中文翻譯為「場效電晶體」，此種電晶體可分為接合型FET、MOS型FET以及GaAs型等3種。 接合型FET大多被應用於音響裝置等類比電路，MOS型FET則主要被運用在微電腦控制器等數位IC上。 而GaAs型則被用於衛星廣播接收等微波放大用途 ※MOS 以NPN電晶體來說，基極 (B)為正極、集極 (C)為負極，分別對其施加偏壓電流，然後由射極 (E)到C則會有逆向電流產生。 請檢討在使用上是否會有任何問題。無品質劣化及產品損壞的疑慮，使用上並無任何問題。使用NPN-Tr時，與B對稱的C、E必須皆為N型。 因此，即使C、E接反，仍能作為電晶體使用。 亦即電流的流動方向為E → C。逆向電晶體的特色如下： h FE 較低。 (約順向電壓的10%以下) 不具備高耐壓性。 (電壓約為7 to 8V，和V EBO 差不多低) ←若使用汎用型TR電晶體時，除了上述條件外，亦可能會有電壓小於5V的情形發生。 (超過此耐壓值時，將造成電壓崩潰 (Breakdown)，因而發生h FE 過低等特性不佳的情形，此點需特別注意。) 晶體種類. 晶體的一些性質取決於將分子聯結成固體的結合力（原子之間的吸引力）。這些力通常涉及原子或分子的最外層的電子（或稱價電子）的相互作用。如果結合力強，晶體有較高的熔點。如果結合力弱，晶體則有較低的熔點，也可能較易彎曲和變形 晶體的結構分子晶體的結構 (1) 定義：分子與分子之間以氫鍵或凡得瓦力結合形成的晶體。 (2) 特性： (a) 分子間作用力小、沸點低、熔解熱、汽化熱均小。 (b) 硬度小、不具延展性、易碎。 (c) 不易導電與導熱。 (d) 容易汽化。分子晶體的沸點與熔點 因此，即使C、E接反，仍能作為電晶體使用。. 亦即電流的流動方向為E → C。逆向電晶體的特色如下：. · 電晶體也稱為雙極性接面電晶體 (BJT)，是一種由電流驅動的半導體元件，可用於控制電流流動；其中，基極引線中的少量電流可控制集極和射極之間較大的電流。 電晶體可以用來放大微弱的訊號、當作振盪器或開關。 通常，這些電晶體元件是以矽晶體製成，其中的 N 與 P 型半導體層互相堆疊。 請參閱以下圖 1。 圖 1：圖 1a 為 2N TO 的剖面圖，顯示接至矽晶的 E射極、B基極以及 C集極引線。 圖 1b 取自 年月號 Radio-Electronics 雜誌2，顯示了 N 和 P 型切面及其排列情形 (當時使用鍺材質)。 電晶體採用全密閉結構，封裝在有三根引線的塑膠或金屬圓柱體內 (圖 2)。 圖 2：幾種常見的封裝類型及其尺寸比較。 無品質劣化及產品損壞的疑慮，使用上並無任何問題。使用NPN-Tr時，與B對稱的C、E必須皆為N型。.

這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶大量的數據。由於MOSFET 的結構特別適合被 電晶體是一種半導體元件，用於開關或放大信號。您可以將其視為開關，可以通過使用非常弱的電晶體有兩種類型：NPN和PNP。這與內部的半導體有關。 Toshiba offers a wide range of bipolar transistors suitable for various applications, including radio-frequency (RF) and power supply devices 半导体元件的种类❒ 电的主动元件(Active device)主动元件泛指有参与电讯号调变的将交流电(AC)转换成直流电(DC) ，但是大部分的积体电路(IC)使用电晶体来制作。 MOSFET 應該是人類使用最多的電晶體種類，特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量的.晶体的分布非常广泛，自然界的 固体 物质中，绝大多数是晶体。. h FE 較低。. 電晶體係由半導體所組成，當電流通過半導體時，電流將取決於電洞 (正極)以及電子 (負極)的作用，運用此一動作原理的電晶體就稱之為「雙載子電晶體」。. 亦即電流的流動方向為E → C。逆向電晶體的特色如下：. 因此，即使C、E接反，仍能作為電晶體使用。. 晶體結構是指晶體的週期性結構。 固體材料可以分為晶體、準晶體和非晶體三大類，其中，晶體內部原子的排列具有週期性，外部具有規則外形，比如鑽石（圖）。 Hauy最早提出晶體的規則外型是因為晶體內部原子分子呈規則排列，比如鑽石所具有的完美外形和優良光學性質就可以歸結為其內部原子的規則排列。世紀初期，勞厄發明X射線繞射法，從此人們可以使用X射線來研究晶體內部的原子排列，其研究結果進而證實了Hauy的判斷。 晶體內部原子排列的具體形式一般稱之為晶格，不同的晶體內部原子排列稱為具有不同的晶格結構。 各種晶格結構又可以歸納為七大晶系，各種晶系分別與十四種空間格（稱作布拉菲晶格）相對應，在宏觀上又可以歸結為三十二種空間點群，在微觀上可進一步細分為個空間群。 有七個晶格系統。 立方體或等軸測圖 ：這些並不總是立方形。 您還可以找到八面體（八面）和十二面體（十面）。 四方 ：與立方晶體類似，但沿著一個軸比另一個更長，這些晶體形成雙金字塔和棱柱。 斜方晶系 ：類似於四方晶體，除了橫截面不是正方形（當觀察晶體時），這些晶體形成菱形棱柱體或 雙錐體 （ 兩個金字塔 粘在一起）。 六角形： 當你在結束看晶體時，橫截面是六棱柱或六角形。 三角形： 這些晶體 擁有一個單一的三折軸而不是六邊形的六折軸。 三斜 晶 系： 這些晶體通常從一側到另一側不對稱，這可能導致一些相當奇怪的形狀。 單斜：L ike傾斜的四方晶體，這些晶體通常形成棱鏡和雙金字塔。 這是一個非常簡化 的晶體結構視圖 。 後級擴大器依照電路設計的不同大致上分成兩類: (1)設計用於放大模擬信號的功率放大器屬於A、B、AB或C類 (2)設計用於放大脈寬調製（PWM）數字信號的功率放大器位於D、E、F等之下。 目前市面上最常用的有 A、B、AB、C或D，其他的種類主要是在原本的線路架構上做微小的更動，DZ主要會介紹 A、B、AB、C跟D類後級擴大機，E、F、G跟D類的原理差不多，都用於放大PWM調製的數字信號，它們屬於開關功率放大器的類別，這邊就不多做介紹。 A類後級擴大機 Reference: 但真空管非常耗電且體積龐大，又經常燒壞。貝爾實驗室研究主任 Mervin Kelly 從二次世界大戰中針對雷達使用的晶體整流器技術發展中得到啟發，想到半導體 (一種固態元件) 可能製作出新的元件，取代昂貴又不可靠的真空管。 晶体 是 原子 、 离子 或 分子 按照一定的周期性，在 结晶 过程中，在空间排列形成具有一定规则的 几何 外形的 固体 。. (約順向電壓的10%以下) 一般我們所講的電晶體係由矽所製成 無品質劣化及產品損壞的疑慮，使用上並無任何問題。使用NPN-Tr時，與B對稱的C、E必須皆為N型。. 气体 、 液体 和 非晶物质 在一定的合适条件下也可以转变成晶体 雙極電晶體. Bi代表雙 (2組)，而Polar則代表載子 (極性)的意思。.

FET的種類有兩種，一為n 基底型，另一為p 基底型。 n 基底型是利用n 型半導體作為基底，p 基底型則是利用p 型半導體作為基底。在n型通道場電晶體中流的是電子流，在p型 積體電路是將電晶體、電阻、電容、二極體等電子元件整合裝至一塊晶片上面，由於積體電路的體積非常積體電路的種類一般是以內含電晶體等電子元件的數量來分類：Turkcel 三角形： 這些晶體 擁有一個單一的三折軸而不是六邊形的六 最後再輸出組合兩個晶體各自傳導波形的一半(°)，並放大整個信號。 因此理論效率可以達到約75％。 但因為輸出波形是兩個半波重疊，所以重疊的地方會存在很小的失真，對不是很重視音質的機器倒是很符合經濟效益，如床頭音響、多媒體喇叭、FM收音機等。 downgrading gateway ⭐⭐⭐⭐⭐ Star wars clone warssezonbölüm altyazılı. Ümidi gta vice cityZenfonemac. Vayneguide. 讓電晶體動作時，會增加電和熱的負載。電晶體的負載過大的話，壽命將會減少，最壞的情況是破損。為了防止這個問題，須檢視實際使用狀態，確認使用上有無問題。在此針對具體的判斷方法進行解說，為了安全使用電晶體，請務必參考。 · 電晶體泛指所有半導體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。 電晶體根據使用材料的不同可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體;根據極性的不同可分為NPN型電晶體和PNP型電晶體;根據結構和製造工藝的不同可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體;其還可根據電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結構的不同等分類方式分為不同的種類。 但電晶體多指晶體三極體，主要分為雙極性電晶體 (BJT)和場效應電晶體 (FET)，接下來我們就以BJT和FET為例來講述電晶體的工作原理。三、電晶體工作原理雙極性電晶體 雙極性電晶體，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結型電晶體的簡稱，由於其具有三個終端，因此我們通常將其稱為三極體。 · 簡單晶體振盪器 (XO)： 這是最基本的類型，其穩定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。 在MHz範圍內的較高頻率晶體由石英棒製成，其製造方式是即使環境溫度在℃至+℃ (°F至 +°F)之間變化，也可提供相對穩定的頻率。 即使在這麼寬的溫度範圍內，適當切割的石英晶體也可實現±25ppm的穩定度。 與諸如隨溫度變化可達1% (10,ppm)或更高的LC振盪電路等其它被動諧振器相較，晶體振盪器的性能已大幅提升了。 但對於某些應用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須採用額外措施。 溫度補償晶體振盪器 (TCXO)： 如果固有頻率與石英晶體的溫度穩定度無法滿足應用要求，就可以採用溫度補償單元。晶體內部原子排列的具體形式一般稱之為晶格，不同的晶體內部原子排列稱為具有不同的晶格結構。 各種晶格結構又可以歸納為七大 晶系 ，各種晶系分別與十四種空間格（稱作 布拉菲晶格 ）相對應，在宏觀上又可以歸結為三十二種 空間點群 ，在微觀上可 斜方晶系 ：類似於四方晶體，除了橫截面不是正方形（當觀察晶體時），這些晶體形成菱形棱柱體或 雙錐體 （ 兩個金字塔 粘在一起）。. 六角形： 當你在結束看晶體時，橫截面是六棱柱或六角形。.